سلڪون ڪاربائيڊ فرنس ٽيوب

سيميڪس ليب الٽرا هاءِ پيوريٽي SiC فرنس ٽيوب سسٽم، سيمي ڪنڊڪٽر گريڊ ٿرمل فيلڊ حل 99.9999٪ ڪوٽنگ پيوريٽي ۽ مڪمل لائن ڊليوري فراهم ڪري ٿو.

بنيادي قدر جي تجويز

ويفر جي پيداوار لاءِ صفر آلودگي وارو حرارتي ماحول فراهم ڪريو: سبسٽريٽ جي 99.9٪ SiC پاڪائي + CVD ڪوٽنگ جي 99.9999٪ پاڪائي، هڪ مڪمل SiC ڪينٽيليور پيڊل ۽ ويفر بوٽ سسٽم سان گڏ، پروسيس چيمبر ۾ صفر ڌاتو آلودگي حاصل ڪرڻ لاءِ.

شين جا مختلف نالا:

تيز گرمي پد واري SiC فرنس ٽيوب؛ سلڪون ڪاربائيڊ ٽيوب؛ اعليٰ پاڪائي واري SiC ٽيوب؛ ڊفيوژن فرنس لاءِ سلڪون ڪاربائيڊ ٽيوب؛ ڊفيوژن ۽ LPCVD عمل لاءِ سلڪون ڪاربائيڊ ٽيوب؛ RTP لاءِ SiC ٽيوب، آڪسائيڊيشن لاءِ SiC ٽيوب

بنيادي وضاحتون:

مواد جي پاڪائي: بنيادي مواد سلڪون ڪاربائيڊ آهي جنهن جي پاڪائي 99.9٪ کان وڌيڪ آهي، ۽ سي وي ڊي ڪوٽنگ کان پوءِ پاڪائي 99.9999٪ (6N گريڊ) کان وڌيڪ آهي.

حرارتي ڪارڪردگي: وڌ ۾ وڌ آپريٽنگ گرمي پد 1650 ℃ (ڊگهي مدت)، حرارتي توسيع جو ڪوئفيشيٽ: 4.6 × 10⁻⁶/℃، مسلسل گرمي پد واري علائقي ۾ هڪجهڙائي: ±1.5 ℃ (1200 ℃)؛

مشيني طاقت: موڙڻ جي طاقت 450Mpa (ڪمري جي حرارت تي).

مکيه استعمال

حرارتي ميدان ڪيريئر

1200 ℃ کان 1650 ℃ جي حد اندر هڪ مستحڪم ۽ هڪجهڙائي وارو گرمي پد جو ميدان قائم ڪريو (مسلسل گرمي پد واري علائقي ۾ گرمي پد جو فرق ≤±1.5 ℃ آهي)

ڊفيوژن، آڪسائيڊيشن ۽ اينيلنگ جهڙن عملن جي ٿرموڊائنامڪ حالتن کي يقيني بڻايو وڃي.

آلودگي جي الڳ ڪرڻ واري رڪاوٽ

اعليٰ پاڪائي واري مواد (جهڙوڪ SiC) ذريعي ڌاتو آئن (جهڙوڪ Fe/Ni/Cu، وغيره) جي پکيڙ کي روڪيو.

پروسيس گيسن ۽ ٻاهرين ماحول جي وچ ۾ ڪراس آلودگي کي روڪيو.

پروسيس گيس چينل

رد عمل گيسن جي وهڪري جي هدايت ۽ ورڇ کي صحيح طور تي ڪنٽرول ڪريو (جهڙوڪ O₂/N₂/SiH₄، وغيره).

ويفر جي مٿاڇري تي هڪجهڙائي گئس-مرحلي جي رد عمل حاصل ڪريو (جهڙوڪ SiO₂ واڌ).

فوٽووولٽڪ ڪوٽنگ: سپورٽ TOPCon/HJT سيل PECVD پروسيس ويفر ٽرانسپورٽ.

ائپليڪيشن جي منظوري

● اپيٽيڪسي

● آڪسائيڊشن/پھيلاءُ

● ايل پي سي وي ڊي/پي اي سي وي ڊي عمل

● III-V مرڪب سيمي ڪنڊڪٽرز جي اينيلنگ

صنعت جي ڏکن جا حل

اسان جا حل اسان جي گراهڪن جي ڏکن جي نقطن کي حل ڪن ٿا:

1. تيز گرمي پد جي عمل ۾ ذرات جي آلودگي: 6N ڪوٽنگ نجاست جي برسات کي روڪي ٿي.

ڪوارٽز حصن ۾ SiC جي بار بار تبديلي سان سنکنرن جي مزاحمت 8 ڀيرا وڌي ٿي.

2. SiC مواد جي پوري سيريز ۾ حرارتي فيلڊ حصن جي حرارتي توسيع جي بي ترتيبي لاءِ CTE مستقل مزاجي ڊيزائن.

3. ويفر جي پوئين پاسي ڌاتو جي آلودگي جو الٽرا پالش ٿيل مٿاڇري جو علاج (Ra 0.2μm).

جزو جي ٽيڪنيڪل وضاحتن جا بنيادي فائدا:

1. SiC فرنس ٽيوب - بنيادي مواد جي پاڪائي: 99.9٪ سينٽرڊ سلڪون ڪاربائيڊ

▶ حرارتي جھٽڪي جي مزاحمت 3 ڀيرا وڌي وئي آهي (تيز ٿڌي > 1600 ℃)

حرارتي توسيع جو ڪوئفيشيٽ 4.6×10⁻⁶/℃ جيترو گهٽ آهي

نانو اسڪيل ڪوٽنگ - 6N-گريڊ هاءِ-پيوريٽي SiC (99.9999٪) جو CVD جمع

▶ Fe ۽ Ni جهڙين ڌاتوئن جي پکيڙ کي روڪڻ

▶ مٿاڇري جي خرابي Ra < 0.5μm

2. SiC ويفر بوٽ - 12 انچ ويفرز سان مطابقت رکندڙ.

- گھڻ-پرت لوڊ بيئرنگ ڊيزائن

▶ فرنس ٽيوب سان 100٪ حرارتي ميلاپ

ويفر آلودگي جي شرح 0.01 ppb کان گهٽ آهي.

3. ڪينٽيليور پيڊل سسٽم - آئوسٽيٽڪ گريفائيٽ سبسٽريٽ + ايس آءِ سي ڪوٽنگ

- خودڪار ترتيب جي درستگي ±0.1mm

▶ ڪرپ مزاحمت جي زندگي > 100,000 ڀيرا

ٽرانسميشن وائبريشن 5μm کان گهٽ آهي

تباهي ڪندڙ ٽيڪنالاجي نمايان

پاڪائي انقلاب

ٻہ-سطح تحفظ نظام

بنيادي پرت 99.9٪ SiC آهي → هڪ اعليٰ طاقت وارو فريم ورڪ ٺاهڻ لاءِ

فنڪشنل پرت ۾ 6N-سطح CVD-SiC هڪ ايٽمي-سطح سيل ٺاهيندو آهي
رڪاوٽ

نجاست ڪنٽرول: Na/K < 0.1ppm، ڳري ڌاتو < 5ppb، 28nm کان گهٽ عملن جي گهرجن کي پورو ڪندي

سسٽم جي هم آهنگي جو فائدو

● حرارتي ميدان جي هڪجهڙائي: فرنس ٽيوب + ويفر بوٽ + پيڊل بليڊ جو ٽرپل حرارتي ڪپلنگ ڊيزائن، مسلسل گرمي پد واري علائقي ۾ گرمي پد جو فرق (> 1200 ℃) ≤±1.5 ℃ آهي.

● عمر ٻيڻي ڪرڻ: سڄو محلول هائبرڊ سسٽم جي مقابلي ۾ عمر 40٪ وڌائي ٿو، MTBA 8,000 ڪلاڪن کان وڌيڪ آهي.