سي سي سنگل ڪرسٽل واڌ لاءِ پورس ٽي سي ڪوٽيڊ گريفائيٽ ڊسڪ

جيئن ته سلڪون ڪاربائيڊ (SiC) سنگل ڪرسٽل جي واڌ ويجهه وڏي قطر ۽ سخت خرابي ڪنٽرول ڏانهن وڌي رهي آهي، گرم زون جي حصن جي استحڪام ۽ پاڪائي مجموعي ڪرسٽل جي پيداوار ۽ ڊوائيس جي ڪارڪردگي لاءِ اهم بڻجي وئي آهي. پورس TaC (ٽينٽالم ڪاربائيڊ) ڪوٽيڊ گريفائيٽ ڊسڪ کي فزيڪل وانپ ٽرانسپورٽ (PVT) SiC ڪرسٽل جي واڌ جي عمل اندر ترقي يافته فنڪشنل حصن جي طور تي انجنيئر ڪيو ويو آهي، وانپ ٽرانسپورٽ ريگيوليشن، ٿرمل فيلڊ اسٽيبلائيزيشن، ۽ آلودگي ڪنٽرول ۾ فيصلو ڪندڙ ڪردار ادا ڪري ٿو.

SiC سنگل ڪرسٽل گروٿ ماحول ۾ جيڪي الٽرا هاءِ گرمي پد تي ڪم ڪن ٿا جيڪي عام طور تي 2000 °C کان وڌيڪ هوندا آهن، روايتي گريفائٽ جزا ڪيميائي ڪٽاؤ، ڪاربن سبليميشن، ۽ ذرڙن جي پيداوار لاءِ خطرناڪ هوندا آهن جڏهن رد عمل واري سلڪون تي مشتمل بخارات جي نسلن جي سامهون ايندا آهن. سيميڪسليب جي پورس ٽي سي ڪوٽيڊ گريفائٽ ڊسڪ انهن چئلينجن کي حل ڪن ٿيون هڪ احتياط سان انجنيئر ٿيل پورس گريفائٽ سبسٽريٽ کي هڪ ڪنفارمل، اعليٰ پاڪائي واري ٽي سي ڪوٽنگ سان گڏ ڪندي. هي ڊيزائن ڪنٽرول ٿيل گيس پارگميتا ۽ ڪيميائي طور تي غير فعال رڪاوٽ ٻنهي کي فراهم ڪري ٿو، جيڪو ذريعو مواد ۽ ڪرسٽل گروٿ انٽرفيس جي وچ ۾ سي- ۽ سي تي مشتمل بخارات جي وهڪري جي صحيح انتظام کي فعال بڻائي ٿو.

واڌ جي ڪروسيبل اندر، سوراخ ٿيل TaC ڪوٽيڊ گريفائيٽ ڊسڪ وانپ فلو ماڊريٽر ۽ ڊفيوژن ريگيوليٽر طور ڪم ڪن ٿا. هڪ ٻئي سان ڳنڍيل سوراخ جي جوڙجڪ ٻرندڙ بخار جي وهڪري ۽ مقامي ڪنسنٽريشن گريڊينٽس کي دٻائيندي سبليميٽڊ نسلن جي ڪنٽرول ٿيل ٽرانسميشن جي اجازت ڏئي ٿي. هي ڪنٽرول ٿيل ماس ٽرانسپورٽ سڌو سنئون وڌيڪ يونيفارم واڌ جي انٽرفيس، بهتر ريڊيل ٿولهه جي استحڪام، ۽ بهتر ڪرسٽل مورفولوجي ۾ حصو وٺندو آهي. ساڳئي وقت، TaC ڪوٽنگ هيٺئين گريفائيٽ کي Si وانپ سان سڌي ڪيميائي رابطي کان الڳ ڪري ٿي، خاص طور تي گريفائيٽ جي استعمال، مٿاڇري جي خرابي، ۽ وڌايل واڌ جي ڊوڙ دوران ڪاربان سان لاڳاپيل آلودگي کي گهٽائي ٿي.

حرارتي طور تي، TaC جو غير معمولي پگھلڻ وارو نقطو (≥3880℃) ۽ استحڪام بار بار حرارتي سائيڪلنگ جي تحت ساخت جي سالميت ۽ ڪوٽنگ جي چپکڻ کي يقيني بڻائي ٿو. پورس آرڪيٽيڪچر مقامي حرارتي مزاحمت جي ٽيوننگ ۾ وڌيڪ حصو ڏئي ٿو، گرم زون اندر محوري ۽ ريڊيل گرمي پد جي گريڊينٽ کي مستحڪم ڪرڻ ۾ مدد ڪري ٿو. هي حرارتي اعتدال خاص طور تي وڏي قطر جي SiC بولي جي واڌ لاءِ فائديمند آهي، جتي انٽرفيس استحڪام ۽ حرارتي هم آهنگي مائڪروپائپ ٺهڻ، بيسل جهاز جي خلل، ۽ ٻين ڪرسٽلوگرافڪ خرابين کي گھٽ ڪرڻ لاءِ ضروري آهن.

آلودگي ڪنٽرول جي نقطي نظر کان، پورس ٽي سي ڪوٽيڊ گريفائيٽ ڊسڪ غير ڪوٽيڊ يا روايتي ڪوٽيڊ حصن جي مقابلي ۾ هڪ اهم فائدو پيش ڪن ٿا. گهاٽو ٽي سي پرت مؤثر طريقي سان گريفائيٽ ڊسٽنگ ۽ ذرڙن جي ڇڏڻ کي دٻائي ٿو، پس منظر جي نجاست جي گهٽ سطح ۽ صاف واڌ جي ماحول کي سپورٽ ڪري ٿو. اهو بهتر ڪرسٽل پاڪائي، خرابي جي نيوڪليشن جي خطري کي گهٽائڻ، ۽ وڌيڪ ڊائون اسٽريم ويفر پيداوار ۾ ترجمو ڪري ٿو.

سيميڪس ليب ڪنٽرول ٿيل ڪوٽنگ عملن کي استعمال ڪندي پورس ٽي سي ڪوٽيڊ گريفائيٽ ڊسڪ ڊيزائن ۽ تيار ڪري ٿو جيڪي ڪوٽنگ جي ٿلهي، پورس برقرار رکڻ، ۽ ڪوٽنگ جي دخول جي کوٽائي کي متوازن ڪن ٿا. اهو پورس بلاڪج کان سواءِ ڊگهي مدت جي پارگميتا استحڪام کي يقيني بڻائي ٿو، جزو جي سروس لائف دوران مسلسل بخار جي ٽرانسپورٽ خاصيتن کي برقرار رکي ٿو. هر پراڊڪٽ کي مين اسٽريم SiC PVT فرنس ڊيزائن ۾ مطابقت سان تيار ڪيو ويو آهي ۽ ريسرچ اسڪيل ۽ حجم پيداوار ڪرسٽل گروٿ سسٽم ٻنهي لاءِ موزون آهي.