ICP ايچنگ لاءِ SiC ڪيريئر ڊسڪ

ICP ايچنگ سسٽم جي انتهائي رد عمل ۽ پلازما-شديد ماحول ۾، سيميڪسليب سيمي ڪنڊڪٽر پاران ٺهيل SiC ڪيريئر ڊسڪ ويفر سالميت، ايچ جي درستگي، ۽ مجموعي عمل جي استحڪام کي بيان ڪرڻ ۾ اهم ڪردار ادا ڪري ٿي. هڪ سادي ميڪيڪل فڪسچر کان پري، اهو هڪ مربوط عمل انٽرفيس جي طور تي ڪم ڪري ٿو - حرارتي، برقي، ۽ پلازما-ڪيميائي حرڪيات کي متوازن ڪرڻ جيڪي سڌو سنئون ايچ جي هڪجهڙائي ۽ ويفر جي پيداوار کي طئي ڪن ٿا.

ان جي بنيادي طور تي، SiC ڪيريئر ڊسڪ هڪ مستحڪم ۽ الٽرا-صاف ميڪيڪل پليٽ فارم فراهم ڪري ٿو جيڪو پلازما جي نمائش دوران ويفر کي سپورٽ ڪري ٿو. ڊسڪ جي طول و عرض جي درستگي ۽ پلانريٽي مسلسل ويفر سيٽنگ کي يقيني بڻائي ٿي، ڪنڊ جي دٻاءُ کي گهٽائي ٿي ۽ مائڪرو فريڪچرز يا آئن بمباري هيٺ جھڪڻ کي روڪي ٿي. ان جي اعليٰ حرارتي چالکائي ۽ يونيفارم گرمي ورڇ ويفرز کي پوري مٿاڇري تي صحيح درجه حرارت جي توازن کي برقرار رکڻ جي اجازت ڏئي ٿي، جيڪو ايچ جي شرحن کي ڪنٽرول ڪرڻ ۽ نانو ميٽر-سطح جي پيٽرن جي وفاداري حاصل ڪرڻ لاءِ ضروري آهي. اعلي کثافت پلازما حالتن ۾، حرارتي گريڊينٽ پروسيس ڊرفٽ يا مائڪرو ٽرينچنگ جو سبب بڻجي سگهن ٿا، ۽ SiC ڊسڪ جي يونيفارم گرمي پکيڙ انهن اثرات کي مؤثر طريقي سان گھٽائي ٿي.

ڪيميائي طور تي، SiC ڪيريئر ڊسڪ پلازما ۽ چيمبر جي ويفر-هنڊلنگ حصن جي وچ ۾ هڪ حفاظتي رڪاوٽ جي طور تي ڪم ڪري ٿو. اعليٰ پاڪائي واري سلڪون ڪاربائيڊ جي جوڙجڪ هالوجن تي ٻڌل ڪيمسٽري جهڙوڪ Cl₂، BCl₃، SF₆، ۽ CF₄ جي خلاف شاندار مزاحمت ڏيکاري ٿي، گهٽ ۾ گهٽ اسپٽر آلودگي کي يقيني بڻائي ٿي ۽ عملي طور تي ڌاتو آئن جي منتقلي کي ختم ڪري ٿي - ترقي يافته نوڊ جي پيداوار ۾ هڪ اهم عنصر. هي غير فعال رويي چيمبر جي صفائي جي تعدد کي گھٽائي ٿو ۽ ڊسڪ ۽ آس پاس جي اوزار جي حصن ٻنهي جي زندگي جي چڪر کي وڌائي ٿو، اپ ٽائيم ۽ ٿرو پُٽ کي بهتر بڻائي ٿو.

برقي نقطي نظر کان، سيميڪسليب جي SiC ڪيريئر ڊسڪ پلازما شيٿ جي ڪنٽرول ٿيل ٺهڻ ۽ آر ايف توانائي جي ڪپلنگ جي استحڪام ۾ حصو وٺندي آهي. چونڊيل مواد جي ترتيب تي منحصر ڪري ٿو - ڪنڊڪٽو يا سيمي انسوليٽنگ SiC - ڊسڪ کي مقامي تعصب جي تقسيم کي بهتر ڪرڻ، چارج جمع ڪرڻ کي گهٽائڻ ۽ ويفر-ليول آرسنگ يا مائڪرو ڊسچارج کي روڪڻ لاءِ انجنيئر ڪري سگهجي ٿو جيڪي فيچر پروفائلز کي خراب ڪري سگهن ٿا. برقي حد جي حالتن تي هي صحيح ڪنٽرول عمل جي ورهاست کي وڌائي ٿو ۽ جديد پلازما يونيفارمي ٽيوننگ حڪمت عملين جي حمايت ڪري ٿو.

اضافي طور تي، ڊسڪ جي پلازما-مٿي واري مٿاڇري کي بهتر بڻايو ويو آهي ته جيئن ذرڙن جي پيداوار کي گهٽ ۾ گهٽ ڪري سگهجي ۽ ويفر جهاز ۾ هموار گئس جي وهڪري جي ورڇ کي يقيني بڻائي سگهجي. ان جي جاميٽري ڪمپيوٽيشنل فلو ماڊلنگ ذريعي ڊزائين ڪئي وئي آهي ته جيئن ايڊيز ۽ مقامي پلازما کثافت جي تبديلين کي ختم ڪري سگهجي، جنهن جي نتيجي ۾ پوري ويفر بيچ ۾ مسلسل آئن فلوڪس ۽ ايچ جي هڪجهڙائي پيدا ٿئي ٿي. SiC جي ميڪانياتي طاقت، ڪيميائي انرٽينس، ۽ ٿرمل/اليڪٽريڪل بيلنس جي وچ ۾ هم آهنگي ان کي سلڪون ۽ وسيع بينڊ گيپ مواد جهڙوڪ SiC ۽ GaN ٻنهي لاءِ عيب کان پاڪ ايچنگ جي هڪ اهم فعال ڪندڙ ۾ تبديل ڪري ٿي.

بنيادي طور تي، ICP ايچنگ لاءِ سيميڪسليب SiC ڪيريئر ڊسڪ هڪ درستگي-انجنيئر ٿيل پروسيس عنصر جي طور تي ڪم ڪري ٿو جيڪو پلازما جي ڪارڪردگي کي فعال طور تي وڌائڻ دوران ويفر جي پاڪائي کي محفوظ ڪري ٿو. ان جي مادي سالميت، ساخت جي ڊيزائن، ۽ فنڪشنل ورسٽائلٽي گڏيل طور تي ايندڙ نسل جي ڊوائيس جي ٺاھڻ جي سخت مطالبن جي حمايت ڪن ٿا، جتي ايچ جي درستگي جو هر نانو ميٽر ۽ آلودگي ڪنٽرول جو هر ذرو پيداوار جي اصلاح ۽ عمل جي انحراف جي وچ ۾ مارجن کي بيان ڪري ٿو.

ICP سامان لاءِ SiC ڪيريئر ڊسڪ جي هڪ معروف چيني ٺاهيندڙ ۽ ڪارخاني جي حيثيت سان، Semixlab گراهڪن کي جديد ٽيڪنالاجي ۽ پراڊڪٽ حل فراهم ڪرڻ لاءِ پرعزم آهي. اسان سڄي عمل دوران جامع خدمتون پيش ڪندا آهيون، جنهن ۾ سيلز کان اڳ ٽيڪنيڪل صلاح مشوري، پراڊڪٽ پروٽوٽائپنگ، سخت پري شپمينٽ ٽيسٽنگ، ۽ مڪمل سيلز کان پوءِ سپورٽ شامل آهن. اسان ڪنهن به وقت توهان جي وڌيڪ پڇا ڳاڇا جو استقبال ڪريون ٿا.